晶圆级立方相碳化硅单晶生长技术取得突破

△第一作者：王国宾，盛达通讯作者：陈小龙研究员，李辉副研究员通讯单位：中国科学院物理研究所，中国科学院大学中科院物理所陈小龙团队采用顶部籽晶溶液生长技术(TSSG)成功生长了高质量、晶圆级3C-SiC单晶(直径2~4英寸，厚度4.0~10.0毫米)，为大规模生产3C-SiC晶体提供了可行的途径，为开发具有比4H-SiC基更好性能的电力电子器件提供了新的契机。